以半導體物理的理論來解釋的話
IC製程愈精密，電晶體的通道距離愈小
自然電子流過的速度會增加，路徑熱損失減少
自然製作完的IC的運作速率會提升許多，懂嗎
但是，以上這些是理想狀態下的IC運作狀況
實際上，當製程愈縮小以後，因為體積都變小
所以IC內部電晶體的物理間距縮小而導致漏電流變高
所以說，以實際來說，IC的運作速率會提升許多沒錯
但整體運作消耗的能量會因為漏電流增加也變得更多
所以說，這兩種物理特性是不能兩全其美的，懂嗎
至於要如何改善這些問題，就都請去請問林昀老師
而林昀老師是這半導體知識超級厲害的專家，懂嗎
所以我安排林昀老師當科技部長是有道理的，懂嗎
只要晶圓製造過程有任何問題都去問他就好，懂嗎
我就簡單解釋半導體製程縮小問題給全世界參考囉
只要晶圓製造過程有任何問題都可以去請問林昀老師，他是半導體知識超級厲害的專家，懂嗎
